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厂商型号

+FDC642P 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin SuperSOT T/R

内部编号

3-FDC642P

#1

数量:1257019
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:1880
20+¥2.659
100+¥1.678
200+¥1.62
1000+¥1.573
2000+¥1.558
最小起订量:20
英国伦敦
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#3

数量:1880
20+¥2.659
100+¥1.678
200+¥1.62
1000+¥1.573
2000+¥1.558
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

+FDC642P产品详细规格

规格书 +FDC642P datasheet 规格书
+FDC642P datasheet 规格书
文档 FDC6x, NDC7003P Die 11/May/2007
Mold Compound 08/April/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4A
Rds(最大)@ ID,VGS 65 mOhm @ 4A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 10nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 640pF @ 10V
功率 - 最大 800mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装 6-SSOT
包装材料 Tape & Reel (TR)

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